オープニング・メッセージ　12月3日（木）12:55～13:00

アイティメディア株式会社　EE Times Japan 編集長　村尾 麻悠子

基調講演1-1　12月3日（木）13:00～13:40
“第二次増産体制に入る中国SiC”――『中国製造2025』政策が変えた世界のSiCシナリオ

浙江大学MBA教授としての知見と現地工場調査を基に、中国のSiCパワー半導体産業の開発・製造動向、国家戦略「中国製造2025」と中国式市場経済の実態を解説する。日本側の中国市場に対する認識と現実のギャップを指摘し、実態を踏まえたバランスのとれた経営判断を提案。浙江大学発のJSG社を「昭和の製造業魂」を持つ企業として紹介し、日本の製造業への示唆を探る。

株式会社マルエム商会 取締役
浙江大学MBA、浙江工業大学MBA客員教授、上海大学名誉教授
横 伸二 氏TDK元取締役常務執行役員。米国13年、欧州11年の駐在を通じ欧米事業の基盤を築き、自動車メーカーとの取引を開拓。2015年にマウザー・エレクトロニクスの日本事業設立を主導。現在は浙江大学MBA教授、マルエム商会取締役を務め、中国のSiC半導体産業の調査・分析にも取り組んでいる。

セッション1-1　12月3日（木）13:50～14:20
AIデータセンターの進化を支える次世代パワーアーキテクチャ
― 800VバスとGaN技術による高密度・高効率化の実現 ―

AIワークロードの爆発的な増加に伴い、データセンターの電力需要は従来のコンピューティング環境を遥かに凌駕しています。本講演では次世代データセンターの電力供給システムの進化について解説します。特に、800Vバックプレーンへの移行、GaN（窒化ガリウム）を用いた高密度コンバータ、磁気統合技術「MagPack」によるさらなる小型・高効率化など、AIコンピューティングの熱密度と電力要求を満たすための具体的な技術ソリューションについてご紹介します。

日本テキサス・インスツルメンツ合同会社
営業・技術本部 西日本エリア アプリケーション技術グループ フィールドアプリケーションエンジニア
林 秀樹 氏

セッション1-2　12月3日（木）14:30～15:00
3つの実践的手法で電源システムをよりインテリジェントかつ高性能に

現在の電源システムには、高効率・高密度・高信頼性が求められています。本講演では、48V電源の性能を高める3つの技術（低ノイズのSilent Switcher^®レギュレータ、高密度μModule^®レギュレータ、堅牢な80V保護ソリューション）を、システム設計例とともに解説します。より高効率で小型、かつ堅牢な電源システム構築のための実践的な知見と設計手法を習得できます。

アナログ・デバイセズ株式会社
マルチマーケット・パワー製品事業部 シニアダイレクター
David Andeen 氏

基調講演1-2　12月3日（木）15:10～15:50
α型酸化ガリウムパワーデバイス ～社会実装への現在地と展望～

SiC・GaNに続く第3の選択肢として期待が高まる酸化ガリウム。バリガ性能指数でSiCを大きく上回り、サファイア基板を用いることで低コスト化も狙える。本講演では、α型酸化ガリウムの材料特性と得意領域、MOSFETの実証状況、ウエハー大口径化の進捗、協業による実用化への道筋を解説する。

株式会社FLOSFIA
代表取締役社長
天田 健嗣 氏大手半導体メーカーにてMCU、車載アナログ＆パワー混載デバイスの商品企画・開発、MOSFET・IGBT・SiCのマーケティングを統括。海外市場開拓や新興国向け車載事業の展開も推進。2025年12月 FLOSFIA参画、2026年9月より現職。

招待講演1-3　12月3日（木）17:20～18:00

オープニング・メッセージ　12月4日（金）12:55～13:00

アイティメディア株式会社　EE Times Japan 編集長　村尾 麻悠子

基調講演2-1　12月4日（金）13:00～13:40
800V DCと光電融合技術が拓く次世代AIデータセンター

AIの急速な進展とGPUの高密度化により、AIデータセンターでは電力供給と高速データ伝送への対応が重要となっている。本講演では、800V DCアーキテクチャが求められる背景や取り組み、政策等の動向を俯瞰。さらに、光電融合技術による高速・低消費電力化を取り上げ、次世代AIデータセンターの技術と将来像を展望する。

NTTドコモビジネス株式会社
イノベーションセンター IOWN推進室 エバンジェリスト
林 雅之 氏IOWN推進室にてエバンジェリストや各種プロジェクト等に関わる。国際大学GLOCOM客員研究員。ITmediaオルタナティブ・ブログやNewsPicksトピックス等に寄稿。主な著者に『この一冊で全部わかるクラウドの基本』『スマートマシン 機械が考える時代』等

セッション2-1　12月4日（金）13:50～14:20
半導体式変圧器（SST）と半導体遮断器（SSCB）が拓くAIデータセンターの未来

800V DCアーキテクチャへの移行や電力需要の急拡大を背景に、SSTへの期待が高まっています。本講演では、34.5kV級中圧系統からデータセンターへの直接給電構想をはじめ、SSTの技術課題、SSCB向け最新のパワーデバイス技術、そして次世代電力システム実現に向けた開発動向を解説します。

インフィニオン テクノロジーズ ジャパン株式会社
インダストリアル＆インフラストラクチャー事業本部 マーケティング部 部長
藤森 正然 氏

セッション2-2　12月4日（金）14:30～15:00
AIデータセンターPSU・BBUの大容量化と量産試験の課題

AIデータセンターの電力需要急増により、PSU・BBU大容量化と高効率化が急務です。本講演では、それらの設計課題と、量産試験を自動化して品質と生産性を両立させる最新アプローチを紹介します。

クロマジャパン株式会社

基調講演2-2　12月4日（金）15:10～15:50
GaNパワーデバイスの最新技術：AIデータセンター電力消費低減への期待

AIデータセンターにおいては半導体に電力を供給する電源回路の高効率化と小型化が強く求められており、材料物性に優れたGaNパワーデバイスの採用加速とさらなる特性改善が期待されている。本講演ではAIデータセンターに適用可能なGaNパワーデバイス開発の最新技術と将来展望について解説する。

関西大学
システム理工学部 グリーンエレクトロニクス工学科 教授
上田 哲三 氏パナソニックにおいてGaAs、GaN、SiC等、化合物半導体の研究開発・事業化を推進し、デバイス事業部門の技術本部副本部長・所長を歴任。現在は関西大学システム理工学部グリーンエレクトロニクス工学科 教授。IEEE及び応用物理学会フェロー。

招待講演2-3　12月4日（金）17:20～18:00