パワーデバイスセミナー 2026 春　「省エネの主役」に躍り出たパワー半導体の最前線

基調講演 「縦型GaN」産業化に向けた日本の取り組み（仮）

文部科学省研究開発局環境エネルギー課半導体エレクトロニクス推進室室長根津純也 氏

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次世代
パワーデバイスの
最新動向

信頼性・
設計課題への
実践アプローチ

新材料技術の
最前線を
知る

AIの爆発的な普及による電力需要の増大への対応が課題となる中、“省エネ”に大きく貢献するパワーデバイス／パワーエレクトロニクスへの注目は一層高まっています。こうした中、SiCやGaNなどの次世代デバイスに加え、Si-MOSFETやIGBTといった従来デバイスも進化を続けており、本セミナーではこれらの最新技術動向を解説します。

次世代パワーデバイスにおける設計・評価の課題や、信頼性向上といった実務的なテーマに加え、応用分野の広がりにも着目します。従来の自動車や産機、民生分野に加え、AIデータセンターにおいても電力効率の最適化が重要課題となっています。こうした具体的な事例やソリューションを通じ、パワーデバイスの可能性と課題克服に向けたアプローチを提示します。

開催概要

名称: パワーデバイスセミナー 2026 春
「省エネの主役」に躍り出たパワー半導体の最前線
会期: 2026年5月20日（水）12:55～
形式: ライブ配信セミナー
主催: EE Times Japan、EDN Japan
参加費: 無料
対象者: 製造業のうち主にパワーデバイスを使用する電源設計担当エンジニア（特に産業、サーバ／ストレージ、通信、医療、車載、モバイル機器などの業界）

※申込の締切は 2026年5月20日（水）14:00 までとなります。

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プログラム

オープニング・メッセージ　5月20日（水）12:55～13:00

アイティメディア株式会社 EE Times Japan 編集長村尾麻悠子

基調講演　5月20日（水）13:00～13:30
「縦型GaN」産業化に向けた日本の取り組み（仮）

SiC/GaNなど次世代パワーデバイスの開発や採用が進む中、文部科学省は特に「縦型GaN」に焦点を当てた研究開発の支援を行っている。縦型GaNに焦点を当てる背景やこれまでの成果のほか、縦型GaNにおける日本の強みや世界の研究状況、今後の展望について紹介する。

文部科学省
研究開発局環境エネルギー課半導体エレクトロニクス推進室室長
根津純也氏2007年に東京大学理学部生物化学科を卒業し、同年に文部科学省に入省。以後、再生医療研究、地震・防災研究、計算科学技術などを担当。2026年3月に閣議決定された第7期科学技術・イノベーション計画を担当したのち、同年4月から現職。

セッション1　5月20日（水）13:40～14:10
インフィニオンSiC MOSFETとGaNが変える電力変換：データセンターSSTから協働ロボット用ドライブまで

市場の注目が急速に高まるSST (Solid State Transformer) と協働ロボット分野に向け、パワー半導体をリードするインフィニオンの最新提案を紹介します。データセンターのSST向けSiC MOSFETの選定ポイントと高性能化の要点、さらに協働ロボットの低圧モーター駆動を高効率・高電力密度へ導くMV GaNの適用メリットと設計勘所を解説します。

インフィニオンテクノロジーズジャパン株式会社
インダストリアル＆インフラストラクチャー事業本部マーケティング部部長
藤森正然氏

インフィニオンテクノロジーズジャパン株式会社
コンシューマコンピューティング＆コミュニケーション事業部マーケティング部スペシャリスト
大川雅貴氏

セッション2　5月20日（水）14:20～14:50
GaN FETが拓く電源設計の進化：TI GaNと次世代フライバックICの実力

窒化ガリウム（GaN）FETの優れたスイッチング特性は電源の小型・高効率化の鍵ですが、真価を引き出すには高度な駆動設計が不可欠です。本講演の前半では、ドライバ内蔵型TI GaNがもたらす高性能と高信頼性の両立について解説します。後半では、GaN FET内蔵フライバックICに焦点を当て、具体的なパフォーマンスについて紹介します。

日本テキサス・インスツルメンツ合同会社
営業・技術本部インダストリアル・エリアアプリケーション技術グループフィールド・アプリケーション・エンジニア
大橋涼真氏

セッション3　5月20日（水）15:00～15:30
設計当初から考えるデジタル絶縁/絶縁電源のEMC評価とPCB実装の実践

多くの設計者はEMCを後工程の課題と捉えがちですが、実際にはIC、周辺回路やPCBレイアウトなど設計初期の判断が結果を左右します。本講演では、EMC試験の目的や、規格が評価するポイントを整理し、デジタル・アイソレータICおよび絶縁型DC-DC電源ICを例にノイズの放射・結合の仕組みを解説し、設計初期からEMCを考慮するための回路構成やPCB設計の指針を示します。

アナログ・デバイセズ株式会社
インダストリアル・グループプロダクト・アプリケーション・エンジニア
Tommy Moran 氏

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